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什么是IGBT？
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET則驅動功率小、開關速度快，但導通壓降大、載流密度小。而IGBT則兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降的兩方面優(yōu)點。
IGBT由VOMOS及BJT組成。VOMOS是V型場效應管，電壓驅動器件，輸入阻抗高但輸入電容大，IGBT是VOMOS在前BJT在后，在高壓大電流應用時，后級的BJT壓降小、導通電阻的效率高，非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。簡單點說就是大功率的開關器件。
半導體生產不論是前道還是后道都需要用到一種設備，X射線實時在線成像設備，通過X射線的成像原理準確的檢測出缺陷，提升良品率等。
針對半導體器件X射線檢測需求，日聯(lián)科技推出了一款在線式設備——LX2000。設備外形美觀、檢測區(qū)域大、分辨率強、放大倍率高，系統(tǒng)采用封閉式射線源和平板探測器作為核心部件，具備良好的檢測效果。
先進的IGBT技術加上高效的檢測手段，勢必能為高效節(jié)能、節(jié)材，為新能源、工業(yè)自動化(高頻電焊機, 高頻超聲波, 逆變器, 斬波器, UPS/EPS, 感應加熱)提供了新的商機。
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